姓名：王焕友

职称：教授

单位电话：0735-2653121

电子邮箱：whycs@163.com

办公室：4-208

个人简介：

王焕友，男，1963年出生，汉族，湖南常德，党员，博士，教授。主要研究领域为III-V族半导体的电子和光学性能研究。ac米兰官网中文网站“十二五”重点学科“微电子学与固体电子学”学科带头人，“电子电气虚拟仿真实验教学中心”湖南省普通高校实践教学建设项目负责人。主持湖南省自然科学基金、教育厅重点项目等科技项目10余项；主持湖南省高等教育教学改革项目2项；以第一作者在国内外学术期刊上发表论文30余篇， SCI、EI收录近20篇；获国家发明专利和实用新型专利授权5项。指导学生参加大学生电子设计大赛获国家级一等奖一项。

教学情况：

主讲本科生课程：《固体物理学》《半导体物理学》《模拟电子技术》《大学物理学》）

主持科研项目：

（1）“InGaN/GaN 多量子阱中 V 形缺陷演化及对发光性能影响研究”，湖南省教育厅科研重点项目（18A463），2018.6-2021.6

（2）“GaN基量子阱内的应力应变及其对发光性质影响研究”，湖南省自然科学基金（13JJ3121），2013.6-2016.6

主要代表性论文：

（1）Dislocation Evolution and Microstructural Properties on GaN Grown on Cone Patterned Sapphire Substrate，Russian Journal of Physical Chemistry A, 2018，92(8), 1567-1571, （SCI），第一作者

（2）Comparative Study on the Interatomic Force Constants and Elastic Properties of Zinc-Blende AlN, AlP, and AlAs, JETP Letters,2019,109(10),652-656,SCI,第一作者

（3）Microstructural Characterization of V-Defects in InGaN/GaN Multiquantum Wells, JETP Letters,2020, 111（5）, 264-267, SCI,第一作者

（4）Light-induced degradation and self-healing inside CH3NH3PbI3-based solar cells, Appl. Phys. Lett, 2020(116)，253303-253307, SCI II区,通讯作者

（5）Evolution of V-defects and dislocations in InGaN/GaN multi-quantum wells observed by transmission electron microscopy, OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS RAPID COMMUNICATIONS, 2018， 12(11-12), 732 - 736, （SCI），第一作者

（6）Microstructure and Formation Mechanism of V-Defects in the InGaN/GaN Multiple Quantum Wells with a High In Content，JETP Letters, 2020, 11（3）,157–160,（SCI），第一作者

(7)Defect Structure and Evolution of GaN-Based Light-Emitting Diodes on Planar and Cone-Patterned Sapphire Substrates,Crystallography Reports, 2020,65(6), 1059–1063,（SCI），第一作者

发明专利：

(1) “一种检测交流110V-LED芯片的方法”，发明专利，专利号：ZL201710868351.8,2019，第一